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飛兆新推出最佳FOM值和熱阻的功率開關(guān)FDMC2610

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開關(guān)FDMC2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)端開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。

　　與市場(chǎng)上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200V器件FDMC2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nC對(duì)比 4nC)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mΩ對(duì)比240mΩ)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(FOM)降低了27%，并且在DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200V器件具有同類封裝器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的熱阻(Theta JC)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。

　　飛兆半導(dǎo)體的UltraFET器件除了能提供比市場(chǎng)上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開關(guān)性能外，僅占用較DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)常用的SO-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小MOSFET的占位面積及增強(qiáng)封裝熱容量，以便設(shè)計(jì)出更小型，更高功率密度的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

　　飛兆半導(dǎo)體還推出了一款同樣采用MLP 3x3封裝的150V P溝道平面型UltraFET器件，與這3種N溝道器件相輔相成。這個(gè)器件針對(duì)有源箝位拓樸中同時(shí)需要N溝道和P溝道MOSFET的應(yīng)用而開發(fā)。為設(shè)計(jì)人員提供了完整的解決方案，這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

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