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東芝稱可使用表面處理技術(shù)提高LED亮度

　　日本東芝通過在LED表面加納米級突起物來提高其出光率。其步驟如下：

　　在LED表面涂敷一層液體玻璃，加熱直至玻璃硬化。再在玻璃表面上覆蓋一層聚合物（聚苯乙烯與聚甲基丙烯酸甲酯加聚所得），并將其加熱到200攝氏度左右，使其中的聚苯乙烯形成球體，再使用等離子刻蝕去掉聚甲基丙烯酸甲酯,這樣表面上就只留下球狀聚苯乙烯。將這些聚苯乙烯球遮住，再使用離子蝕刻技術(shù)去掉未經(jīng)遮蓋的玻璃和半導(dǎo)體襯底，最后形成了擁有450-500nm 高、彼此相隔150-200nm突起物的LED表面。

　　東芝稱，此基于分子自組織的工藝較光刻處理便宜，并已在紅光LED上進(jìn)行了試用。東芝相信這項(xiàng)技術(shù)對提高白光LED的亮度也同樣有效。

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  來源：中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)

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