飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK (TO-252) 器件需求而設(shè)計。飛兆半導(dǎo)體DPAK封裝的 SuperFET器件的導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型平坦化MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能將滿足高頻照明系統(tǒng)設(shè)計的系統(tǒng)效率需求且將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗減至最小，并滿足這些快速轉(zhuǎn)換的照明設(shè)計的系統(tǒng)效率要求。這些器件還能可以承受鎮(zhèn)流器在極高頻率下可靠地工作所需的快高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 轉(zhuǎn)換開關(guān)瞬態(tài)效響應(yīng)。，能在高頻鎮(zhèn)流器中可靠的工作。
飛兆半導(dǎo)體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員，專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設(shè)計。利用我們專有的SuperFET技術(shù)，可以獲得極低的導(dǎo)通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下，通常用于照明應(yīng)用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導(dǎo)體的DPAK SuperFET技術(shù)為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導(dǎo)通阻抗器件，從而滿足了市場對更纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。”
SuperFET MOSFET采用無鉛DPAK封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
交貨期: 收到訂單后12周內(nèi)
飛兆半導(dǎo)體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員，專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設(shè)計。利用我們專有的SuperFET技術(shù)，可以獲得極低的導(dǎo)通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下，通常用于照明應(yīng)用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導(dǎo)體的DPAK SuperFET技術(shù)為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導(dǎo)通阻抗器件，從而滿足了市場對更纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。”
SuperFET MOSFET采用無鉛DPAK封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
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本文鏈接：飛兆推出低導(dǎo)通阻抗600V SUPER
http:www.mangadaku.com/news/2006-9/20069251086.html
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文章標(biāo)簽： 飛兆
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