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飛兆推出低導通阻抗600V SUPERFET™ MOSFET器件系列

　　飛兆半導體公司開發(fā)出新的低導通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應用的DPAK (TO-252) 器件需求而設計。飛兆半導體DPAK封裝的 SuperFET器件的導通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型平坦化MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能將滿足高頻照明系統(tǒng)設計的系統(tǒng)效率需求且將開關和傳導損耗減至最小，并滿足這些快速轉(zhuǎn)換的照明設計的系統(tǒng)效率要求。這些器件還能可以承受鎮(zhèn)流器在極高頻率下可靠地工作所需的快高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 轉(zhuǎn)換開關瞬態(tài)效響應。，能在高頻鎮(zhèn)流器中可靠的工作。

　　飛兆半導體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員，專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設計。利用我們專有的SuperFET技術，可以獲得極低的導通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下，通常用于照明應用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導體的DPAK SuperFET技術為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導通阻抗器件，從而滿足了市場對更纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。” 　　　

　　SuperFET MOSFET采用無鉛DPAK封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。

　　交貨期: 收到訂單后12周內(nèi)

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