您的位置：電源在線首頁>>行業(yè)資訊>>新品速遞>>IR推出采用新一代HEXFET功率MOSFET硅MOSFET器件正文

IR推出采用新一代HEXFET功率MOSFET硅MOSFET器件

　　國際整流器公司(International Rectifier，IR)推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統(tǒng)等多種運行環(huán)境的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。新型DirectFET器件采用IR先進的DirectFET封裝技術(shù)及新一代HEXFET功率MOSFET硅，額定電流可達35A，其散熱表現(xiàn)更加卓越且效率更高，而占板面積則只相當于扁平型SO-8封裝。

IR亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導、開關(guān)及反向恢復損耗降至最低。這些改進不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時也保持了單個MOSFET的小巧體積。由于電路板的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個DirectFET MOSFET可替代2-3個SO-8封裝器件。”

該器件的典型10V RDS(on)非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉(zhuǎn)換器的原邊MOSFET。IRF6643TRPbF采用中級尺寸(MZ)DirectFET封裝。

IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計優(yōu)勢，并已獲得專利保護。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。

IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET現(xiàn)已開始供貨。

   免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。

關(guān)于該條新聞資訊信息已有0條留言，我有如下留言：

請您注意：
·遵守中華人民共和國的各項有關(guān)法律法規(guī)
·承擔一切因您的行為而導致的法律責任
·本網(wǎng)留言板管理人員有權(quán)刪除其管轄的留言內(nèi)容
·您在本網(wǎng)的留言內(nèi)容，本網(wǎng)有權(quán)在網(wǎng)站內(nèi)轉(zhuǎn)載或引用
·參與本留言即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款

驗證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費注冊會員