Vishay新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新導通電阻記錄

該器件提供了 89.25nC 的業界最佳導通電阻與柵極電荷乘積 FOM

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

    SiR476DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.1mΩ，在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.7mΩ。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優值 (FOM)，在 4.5V 時為 89.25nC。

    與為實現低導通損失及低開關損失而優化的最接近的同類競爭器件相比，這些規格意味著在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別低 32% 與 15%，FOM 低 42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉變成更低的傳導損失及開關損失。

    Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及低開關損失將使穩壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的眾多系統實現功效更高且更節省空間的設計。

    Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2mΩ 與 9mΩ 的導通電阻，在 10V 時為 3.2mΩ 及 7mΩ，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。 

   目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。