羅姆展示可在200℃下穩(wěn)定運行SiC元件IPM

　羅姆試制了可在200℃下穩(wěn)定運行的SiC元件IPM。“對250℃下的運行狀況也進行了確認”。IPM由SiC材質(zhì)的MOSFET功率模塊和柵極驅(qū)動電路構(gòu)成。該公司在展示試制品的同時，還進行了把MOSFET接合溫度控制在250℃左右時的馬達驅(qū)動演示。不過，實際演示中沒有演示IPM，而是分別進行了功率模塊部分和柵極驅(qū)動電路的運行演示。此次展示的是羅姆與美國阿肯色大學(xué)（University of Arkansas）等的共同研發(fā)成果。

　　雖然SiC元件本身可在高溫環(huán)境下運行，但SiC元件的芯片和絕緣底板、絕緣底板和散熱器（Heat Spreader）接合部分、以及模塊封裝以及柵極驅(qū)動電路等均是妨礙高溫運行的主要原因。因此，該公司開發(fā)出提高了耐熱性的接合技術(shù)、以及封裝和柵極驅(qū)動電路。改進了焊材和施工法。

　　接合采用無鉛（Pb）技術(shù)。與普通的無鉛焊接相比，“導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率約提高至原來的7倍”。此前的無鉛焊接的熔解溫度約為 220℃，而新開發(fā)的接合技術(shù)其熔解溫度約為原來的4倍、高達480℃。工藝溫度（回流溫度）為350℃。此外，芯片封裝材料也支持高溫。

　　由于封裝溫度比MOSFET接合溫度低50℃，因此，當(dāng)MOSFET接合溫度為250℃時，封裝溫度為200℃左右。此次是通過把填充物變更為以樹脂材料為基礎(chǔ)的材料等而提高了耐熱性。“將來希望進一步提高耐熱性”。

　　功率模塊上部配備的柵極驅(qū)動電路可在200℃環(huán)境下運行。通過采用LTCC底板、以及把二極管由Si材質(zhì)變更為SiC材質(zhì)等都提高了耐熱性。