東芝演示采用SiC二極管的逆變器模塊

　　東芝試制出了采用SiC材料肖特基二極管（SBD）的逆變器模塊,并使用該模塊進行了驅動馬達的演示。“此前曾展出過SiC元件，不過進行演示還是第一次”。

　　此次提高了由SiC材料制作的SBD的特性。耐壓為1250V，輸出電流密度為200A/cm2時的導通電壓為1.22V。“在耐壓為1200V級的SBD中，導通電壓非常低。已投產的SiC材料的SBD，其導通電壓在1.45～1.5V左右”，此次的導通電阻“大概為1mΩcm2左右”。另外，何時達到實用水平還未確定。