IR推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻工業(yè)用認(rèn)證之MOSFET
能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50%, 減低整體系統(tǒng)成本
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動(dòng)態(tài)ORing及包括高功率DC馬達(dá)、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)工具等工業(yè)應(yīng)用。
新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達(dá)50%，無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外，低RDS (on) 可降低導(dǎo)通損耗，并提升系統(tǒng)效率。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個(gè)系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設(shè)計(jì)人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統(tǒng)成本降低50%。”
全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業(yè)級(jí)及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。
產(chǎn)品基本規(guī)格如下：
|
元件編號(hào) |
溝道型 |
Bvdss (V) |
RDS(on) (mΩ) |
Qg (nC) |
25 C下的Id (A) |
封裝 |
| |||||||
|
|
IRFP4004PBF |
N |
40 |
1.7 |
220 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4368PBF |
N |
75 |
1.85 |
380 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4468PBF |
N |
100 |
2.6 |
360 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4568PBF |
N |
150 |
5.9 |
151 |
171 |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4668PBF |
N |
200 |
9.7 |
161 |
130 |
TO247 | |||||||
*封裝限制
編輯：ronvy
http:www.mangadaku.com/news/2008-11/200811415391.html
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