飛兆半導體在印建研發(fā)中心 開發(fā)新一代功率MOSFET和IGBT技術

   專門提供可提升能效的高性能產品全球領先供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)已在印度普那 (Pune) 建立設計中心。這家研發(fā)中心將負責公司新一代功率MOSFET 和 IGBT 技術的設計和開發(fā)，支持太陽能逆變器、不間斷電源|穩(wěn)壓器 (UPS)、汽車、照明和鎮(zhèn)流器等普及應用。

    飛兆半導體提供業(yè)界最廣泛的產品系列，從1W到大于1200W 的產品都一應俱全，可完全滿足市場對高能效產品的需求。由于全球的燃油供應不斷緊缺，而各國有關應用產品能效的各種強制性法規(guī)與標準相繼出臺，因此市場對更低功耗、更節(jié)能的新技術的需求持續(xù)上升。飛兆半導體專注于開發(fā)先進的產品和解決方案，以推動所有的電子應用實現(xiàn)高功效。