飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD，為電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時采用Field Stop (場截止) 結(jié)構(gòu)和抗雪崩的Trench gate (溝道柵) 技術(shù)，可在傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡，從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的NPT-Trench IGBT器件相比，F(xiàn)GA20N120FTD可減小25% 的導(dǎo)通損耗、8% 的開關(guān)損耗，并大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低，系統(tǒng)可靠性得以增強(qiáng)，系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專為零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管 (FRD)，進(jìn)一步提高了可靠性。
飛兆半導(dǎo)體的FGA20N120FTD和 FGA15N120FTD一致的參數(shù)參數(shù)分布已經(jīng)增強(qiáng)的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導(dǎo)體創(chuàng)新的Field
Stop結(jié)構(gòu)和專有的先進(jìn)Trench gate單元設(shè)計(jì)的成果。
FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD的主要特性包括：
低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
低飽和電壓，降低導(dǎo)通損耗。
內(nèi)置專為ZVS拓?fù)涠鴥?yōu)化的快速恢復(fù)二極管，有助于設(shè)計(jì)人員減少元件數(shù)目，同時進(jìn)一步確保系統(tǒng)可靠性。
一致的參數(shù)分布，減小性能變化。
出色的抗雪崩能力，延長使用壽命。
FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用無鉛 (Pb-free) 引腳，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均設(shè)計(jì)滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS)的要求。
編輯：ronvy
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