意法半導體推出IGBT新品為節(jié)能燈鎮(zhèn)流器改進能效

    功率半導體業(yè)的意法半導體推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH）,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。

    開關性能的改進容許設計工程師把IGBT用于以硬開關拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產品。新產品關斷能耗降低,使用很小的緩沖電容器即可在低結溫下工作,帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優(yōu)點。

    在芯片的單位面積性能方面,ST的新IGBT技術遠遠勝于傳統(tǒng)的MOSFET晶體管,有助于實現成本更加低廉的解決方案。新產品還有一個優(yōu)點：封裝內含有一個超快速軟恢復二極管,保證新產品具有其它功率器件無法實現的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標應用包括70W-150W高頻鎮(zhèn)流器以及開關電源、功率因數控制器和其它的高頻功率開關設備。

    STGxL6NC60D系列產品共有四款產品,提供豐富的功率封裝選擇：TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。