英飛凌發布用于SiC二極管的新芯片焊接技術

    英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG Group）在SiC國際學會“第七屆碳化硅與相關材料歐洲會議（ECSCRM）”上發布了SiC元件與芯片的新焊接技術（演講序號：TuLN-2）。封裝時，引線框架與芯片的焊接不使用普通焊錫，而使用“擴散焊（Diffusion Solder）”。與此前的焊錫焊接相比封裝時有許多優點，而且還可提高產品的可靠性。采用該技術的600V耐壓SiC肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode）“預定于2008年10月起上市”。

    安裝時的優點方面，安裝后的芯片不易傾斜、幾乎沒有焊錫焊接時漏焊的情況等。芯片傾斜會影響引線鍵合。

    另外，擴散焊層還比普通焊錫層薄，肖特基二極管的焊接部分與引線框架的熱阻可降低約40％。這樣，焊接溫度不易上升，可提高二極管的可靠性。最大值為48A的半波電流在10ms內流過時，使用普通焊錫焊接的溫度可達近280℃左右，而使用擴散焊焊接時溫度可降至160～170℃。不過，關于擴散焊層，除位于芯片下面外，“具體實現方法不便公布”。