Vishay 推出具雙面冷卻功能功率MOSFET和肖特基二極管

新型 SkyFET® 器件采用密封PolarPAK® 封裝，導通電阻低至0.0024Ω，Qrr為30-nC， 可處理的電流比SO-8高50%

 9 月 26 日,Vishay Intertechnology宣布，推出業內首款采用具有頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管 --- SkyFET® SiE726DF，該器件可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高效能的運作。新型SkyFET® SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK®封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。

    新型SiE726DF在10V柵極驅動時，具有極低的導通電阻，最大為0.0024Ω（在4.5V驅動時，最大為0.0033Ω）；且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，并為服務器和通信系統中的高電流直流 --- 直流轉換器的同步整流低端控制開關、VRM運用、顯卡和負載點等應用進行了優化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護。

    集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF具有的Qrr為30nC，VSD 為0.37V，兩者均比標準MOSFET低50%以上；且因為寄生器件減少和MOSFET體二極管相關的功率損耗降低，效率也得到了提高。而且隨著開關頻率的升高，器件的功率損耗則會越來越顯著的減少。此外，取消外接肖特基二極管不僅可在降低成本的同時，更令設計人員創造出更小、更簡潔的電路設計。

    Vishay 的 PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運用領域表現出理想的散熱性能，這使器件能夠在更低結溫下運作 --- 頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。這種封裝除簡化生產外，基于引線框架的密封設計因芯片密封，同樣提供了保護和可靠性。無論芯片大小，該器件提供相同的布局布線，簡化PCB設計，且100%通過Rg 和 UIS 測試。

    目前，可提供SiE726DF的樣品與量產批量，大宗訂單的的供貨周期為 10 至14 周。