Vishay推出業界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET

新型20Vn通道器件具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度，提供1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導通電阻范圍

    2009年1月19日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布推出業界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET---Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

    Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化。該器件2-mil背面涂層可實現對MICRO FOOT封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產生的電路短路。

    此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至PCB上的區域及更少的高度限制，電路布局可更好地優化。

    20Vn通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為±8V。

    目前，新型Si8422DB可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為10至12周。
【可從以下網址下載高分辨率圖像(<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=453】

VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。
創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®）和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注冊商標。