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Vishay推出業(yè)界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET

2009/1/19 8:47:12   電源在線網(wǎng)
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新型20Vn通道器件具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度,提供1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導(dǎo)通電阻范圍

    2009年1月19日,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布推出業(yè)界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET---Si8422DB,該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。

    Si8422DB針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進(jìn)行了優(yōu)化。該器件2-mil背面涂層可實(shí)現(xiàn)對MICRO FOOT封裝的頂部絕緣,以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

    此絕緣設(shè)計令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用,從而設(shè)計人員可靈活放置MOSFET,屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方,這在壓低上述部件空間時將進(jìn)一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計靈活性還可減少寄生效應(yīng),由于無需路由至PCB上的區(qū)域及更少的高度限制,電路布局可更好地優(yōu)化。

    20Vn通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導(dǎo)通電阻范圍,且最大柵源電壓為±8V。

    目前,新型Si8422DB可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為10至12周。
【可從以下網(wǎng)址下載高分辨率圖像(<500K):http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=453

 

VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。
Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注冊商標(biāo)。

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本文鏈接:Vishay推出業(yè)界首款采用MICRO
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文章標(biāo)簽: Si8422DB/vishay
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