Vishay推出業(yè)內(nèi)最低的P溝道功率MOSFET導(dǎo)通電阻SiA433EDJ

這款20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在緊湊的2mm x 2mm的占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了從18mΩ@4.5V至65mΩ@1.8V的導(dǎo)通電阻

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了近一半。
 
    SiA433EDJ具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，這些數(shù)值比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件小40%和30%。
 
    新的MOSFET也是唯一同時(shí)具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導(dǎo)通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過(guò)壓導(dǎo)致的更高柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)的應(yīng)用，同時(shí)在采用更低輸入電壓的應(yīng)用中提供更安全的設(shè)計(jì)。
 
    SiA433EDJ可以用作手持設(shè)備，如手機(jī)、智能手機(jī)、PDA、MP3播放器中的負(fù)載、電池和充電開(kāi)關(guān)。MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，節(jié)約能量并延長(zhǎng)這些設(shè)備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半，卻能提供近似的導(dǎo)通電阻，其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節(jié)約出來(lái)的電路板空間用于其他產(chǎn)品特性，或是實(shí)現(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。
 
    為減少ESD導(dǎo)致的故障，器件內(nèi)置了一個(gè)齊納二極管，使ESD保護(hù)提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC，通過(guò)了完整的Rg測(cè)試。
 
    新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。■