Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET Si8461DB和Si8465DB

器件最大尺寸僅為1mm x 1mm，且導(dǎo)通電阻比非芯片級器件提高10倍

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。
 
    在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
 
    在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，Si8461DB的導(dǎo)通電阻為0.1Ω，比非芯片級器件提高了10倍，而且具有相近的占位尺寸，為節(jié)約便攜設(shè)備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級，Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時(shí)的最大導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻與采用便攜式系統(tǒng)中常見的更小輸入信號的設(shè)備相匹配。對于充電開關(guān)等需要更高輸入電壓的應(yīng)用，Si8465DB具有12V的柵源電壓，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)的導(dǎo)通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。■