飛兆半導體全新升壓開關FDFME3N311ZT提升DC-DC設計效率

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關產品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。

    FDFME3N311ZT 采用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術，通過仔細優化動態性能來降低開關損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨溫度升高的變化小，可以防止轉換器效率隨封裝溫度升高而降低。該器件在緊湊 (1.6mm×1.6mm) 和低側高 (0.55mm) MicroFET 薄型封裝中，集成了兩個分立器件，不但能夠滿足緊湊型DC-DC升壓設計的需求，而且相比先前的升壓開關產品節省36% 的電路板空間。

    FDFME3N311ZT提供30V的擊穿電壓，可為手機等應用驅動多達7個或8個白光LED(實際數字取決于所選擇的LED和設計保護帶)。白光LED通常用作手機等移動設備的顯示器的背光照明，一般以串聯方式連接，以確保每個LED具有相同的正向電流和亮度。以每個LED的正向電壓約為3-3.5V計算，使用這款升壓開關將有助于逐步提高現有的電池升壓輸出電壓(大多數情況下為單一鋰電池)。

    這款升壓開關是飛兆半導體多元化的MOSFET產品系列的最新成員，該產品系列具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍和先進的封裝技術等特點，能夠解決現時設計所面對的各種復雜的功率和空間難題。■