安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護(hù)及外部附件過流保護(hù)器件

NCP370保護(hù)便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護(hù)便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件

    2009年2月3日，全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機(jī)、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提供正向及負(fù)向(+/-)過壓保護(hù)(OVP)，并為調(diào)頻(FM)收發(fā)器、負(fù)載揚(yáng)聲器和閃光模塊等便攜附件提供過流保護(hù)(OCP)。

    這整體集成的解決方案精簡便攜電子產(chǎn)品的設(shè)計，不需使用外部元件——迄今為止——設(shè)計人員需要采用外部元件來保護(hù)易受影響的便攜設(shè)備，使其免受源于墻式適配器及附件、不適合的修配用零件市場的交流-直流(AC-DC)適配器以及某些USB線纜中因極性反向?qū)е聠栴}的電氣浪涌損傷。

    特性及優(yōu)勢

    新的NCP370提供高達(dá)+28伏(V)的正向保護(hù)和低至-28 V的負(fù)向保護(hù)，顯著改善便攜設(shè)備的前端保護(hù)。這顆器件采用創(chuàng)新的架構(gòu)，還為連接在底部連接器以鋰離子電池供電的外部附件提供OCP。

    NCP370集成了低導(dǎo)通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET，有效支持便攜電子產(chǎn)業(yè)最新的鋰離子電池充電電平所要求的高達(dá)1.3安(A)的較大直接充電流。NCP370是安森美半導(dǎo)體新一代OVP產(chǎn)品其中的一款，提供幾種不同的過壓閾值來配合下行應(yīng)用的最大額定值要求。此外，這器件還提供另一種“反向”模式，實(shí)現(xiàn)對源自便攜設(shè)備電池的反向電流的穩(wěn)流，為廣泛連接在便攜設(shè)備底部連接器上的FM收發(fā)器、音頻功能或閃光功能等外部附件供電。

    NCP370設(shè)計用于內(nèi)部限制高達(dá)1.6 A的電流。這個電流值能夠以外部下拉電阻來降低，因而不需在應(yīng)用中使用外部OCP器件，既降低生產(chǎn)成本，也減少最終便攜應(yīng)用中的印制電路板(PCB)面積。NCP370具有低于1微安(µA)的待機(jī)電流，避免在拔出墻式適配器或手機(jī)關(guān)機(jī)時的電池放電，因而延長電池使用時間及限制反復(fù)重新充電。

    NCP370是安森美半導(dǎo)體針對便攜應(yīng)用四個常見主要子系統(tǒng)產(chǎn)品陣容新增的重要器件。這器件配合互連子系統(tǒng)具挑戰(zhàn)的要求。除了互連子系統(tǒng)，安森美半導(dǎo)體還提供用于手持便攜設(shè)備中的顯示和照明、電源管理和音/視頻三個主要子系統(tǒng)的解決方案。

    封裝及價格

    NCP370MUAITXG采用3 mm x 3 mm x 0.55 mm LLGA-12無鉛、符合RoHS指令的封裝， 每3,000片批量的預(yù)算單價為0.80美元。

    更多信息請?jiān)L問www.onsemi.com.cn或聯(lián)系Helene Acrosse(電郵：Helene.Acrosse@onsemi.com)。

    關(guān)于安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)
    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是電源、汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)產(chǎn)品、醫(yī)療、工業(yè)、手機(jī)和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源、模擬、數(shù)字信號處理器(DSP)、混合信號、先進(jìn)邏輯、時鐘管理、非易失性存儲器和標(biāo)準(zhǔn)元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站：www.onsemi.com.cn。

    安森美半導(dǎo)體和安森美半導(dǎo)體圖標(biāo)是Semiconductor Components Industries, LLC的注冊商標(biāo)。所有本文中出現(xiàn)的其它品牌和產(chǎn)品名稱分別為其相應(yīng)持有人的注冊商標(biāo)或商標(biāo)。雖然公司在本新聞稿提及其網(wǎng)站，但此稿并不包含其網(wǎng)站中有關(guān)的信息。