采用次微米溝槽技術的新型器件采用D-Pak封裝,具有達+175°C最大結溫、6A至20A額定電流范圍、小于0.54V的超低典型正向壓降和低至3mA的反向漏電流
賓夕法尼亞、MALVERN—2009年2月27日,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)推出四款第五代高性能45V和100V肖特基二極管---6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN和20WT04FN。Vishay此次推出的器件將D-Pak的電流能力擴展至高達20A,從而確定了業界的新標準。這些器件采用次微米溝槽技術,適合用作高效率、高密度解決方案的獨立封裝,以及D2-Pak封裝的低成本小型替代品。RBSOA可實現緊湊、低成本設計。
6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN和20WT04FN具有達+175°C的最大結溫、超低正向壓降和低反向漏電流,確保設計人員可增加汽車、太陽能和其他高溫應用中的功率密度。四款器件均可提供I-Pak版本。
日前發布的肖特基二極管在6A和20A、+125°C時最大典型正向壓降低于0.54V(對于45V器件),在10A和20A時最大典型正向壓降低于0.65V(對于100V器件)。45V二極管在+125°C時反向漏電流為3mA和7mA,而100V二極管為4mA,且參數分布非常緊湊。這些器件提供優化的VF與IR權衡,可實現更高的系統效率。
這些二極管已為交流到直流次級整流、反激式、降壓與升壓轉換器、半橋、電池反接保護、續流、直流到直流模塊及太陽能光伏發電旁路二極管應用進行了優化。典型的最終產品包括高功率密度SMPS;臺式電腦適配器;服務器;消費性電子產品,如PDP、LCD及高效音頻系統;及筆記本電腦、手機及便攜式媒體播放器等移動電子產品。這些二極管符合針對汽車驅動和控制裝置的AEC-Q101標準。
45V和100V器件分別具有57V和118V的典型穩定高擊穿電壓,可適應電壓峰值并優化功率密度,在這些二極管中,功率密度均增加了25%。這些器件堅固耐用,其抗反向雪崩能力提高了30%,雪崩時元件可獲得完全屏蔽,且開關損耗極小。
目前,新型肖特基二極管可提供樣品,并已實現量產,大宗訂單的供貨周期為6至8周。【http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=470】
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000強企業”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com。
http:www.mangadaku.com/news/2009-3/20093292447.html

