IR推出增強型25V及30V MOSFET

適用于負載點同步降壓轉換器應用

    日前，全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出一系列新型25V及30V N通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。

    新MOSFET系列采用了IR經過驗證的硅技術，可提供基準通態(tài)電阻(RDS(on))，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現高效率。

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型MOSFET采用Power QFN封裝，可比SO-8封裝提供更高的功率密度，同時保持相同的引腳排列配置。新型雙SO-8 MOSFET還可通過‘二合一’交換來減少元件數目，滿足不同應用的要求。”

    單雙N通道MOSFET現已開始供應。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N通道器件也可在高量產時實現優(yōu)化，采用PQFN 5mm×6mm和3mm×3mm封裝，而雙N通道器件則采用SO-8封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規(guī)定(RoHS)，可以不含鹵素。

    產品的基本規(guī)格如下：

單個N通道

雙N通道

    新器件現已開始供應。產品詳細數據可以瀏覽IR網頁www.irf.com。

    IR簡介

    國際整流器公司(簡稱IR，紐約證交所代號IRF)是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗(電機是全球最大耗能設備)，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。

    IR成立于1947年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR全球網站：www.irf.com，亞洲網站：www.irf-asia.com，中國網站：www.irf.com.cn。