IR推出增強型25V及30V MOSFET

適用于負載點同步降壓轉換器應用

    日前，全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出一系列新型25V及30V N通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。

    新MOSFET系列采用了IR經過驗證的硅技術，可提供基準通態電阻(RDS(on))，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現高效率。

    IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型MOSFET采用Power QFN封裝，可比SO-8封裝提供更高的功率密度，同時保持相同的引腳排列配置。新型雙SO-8 MOSFET還可通過‘二合一’交換來減少元件數目，滿足不同應用的要求。”

    單雙N通道MOSFET現已開始供應。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N通道器件也可在高量產時實現優化，采用PQFN 5mm×6mm和3mm×3mm封裝，而雙N通道器件則采用SO-8封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)，可以不含鹵素。

    產品的基本規格如下：

單個N通道

雙N通道

    新器件現已開始供應。產品詳細數據可以瀏覽IR網頁www.irf.com。

    IR簡介

    國際整流器公司(簡稱IR，紐約證交所代號IRF)是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗(電機是全球最大耗能設備)，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。

    IR成立于1947年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR全球網站：www.irf.com，亞洲網站：www.irf-asia.com，中國網站：www.irf.com.cn。