Vishay Siliconix首創(chuàng)將高 低MOSFET集成在同一封裝

■大幅節(jié)省占位空間并降低設(shè)計難度
節(jié)省空間的器件在10V電壓下的導通電阻低至5.8 mΩ，
在+70℃下的最大電流達13.9A

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內(nèi)集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝，在一個緊湊的器件內(nèi)同時提供了低邊和高邊MOSFET，同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性，比使用兩個分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm，比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%。

    在PowerPAIR型封裝出現(xiàn)之前，工程師在設(shè)計用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器、游戲機的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時，只能使用兩個獨立的器件來達到降低導通電阻和提高電流的目的。

    例如，常規(guī)雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻大約是30mΩ，最大電流不到10A，因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導通電阻，在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。除此以外，高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。這些指標令設(shè)計者能夠用一個器件替代原先的兩個器件，節(jié)省成本和空間，包括兩個分立MOSFET間的空隙和標識面積。在一些更低電流和更低電壓的應用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節(jié)省三分之二的空間。

    由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了，電路板的布局會更加簡單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統(tǒng)效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化，這樣在一個典型的降壓轉(zhuǎn)換器上，輸入引腳被安排在一側(cè)，輸出引腳是在另外一側(cè)，進一步簡化了電路板布局。

    器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

    性能規(guī)格表：

    SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在5月實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

    VISHAY SILICONIX簡介

    Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

    創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。

    Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

    VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

    PowerPAIRTM 是Siliconix Incorporated的商標，TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標。■