世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業界標準28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™)寫入、無乎無限的讀寫次數及低功耗特點。FM28V020可用于工業控制、儀表、醫療、汽車電子、軍事、游戲和計算機及其它應用領域中，作為需電池供電的SRAM的兼容替代產品。
 
    Ramtron市場拓展經理Mike Peters稱：“FM28V020相比現有256Kb并口存儲器有多項性能提升，與目前廣泛使用的FM18L08比較之下，FM28V020具有更快的訪問速度和更短的讀寫周期，低至2V的工作電壓則容許在更低的工作電流下工作，而且頁面模式工作頻率高達40MHz，是需電池供電的SRAM或NVSRAM的簡便升級產品。”
 
關于FM28V020
    FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數據，提供超過10年的數據保存能力，可消除需電池供電的SRAM(BBSRAM)帶來的諸如可靠性、功能缺陷和系統設計復雜性等問題。去除了系統中的電池可以簡化生產過程，減少系統維護，并且顯得更加環保。F-RAM具有的寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數等特點(寫入次數大約為1014次)，使其優于其它類型的存儲器。
 
    FM28V020在系統內的工作方式與其它RAM器件類似，可以用作標準SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可觸發讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點，所以極度適用于需要頻繁或快速寫入數據的非易失性存儲應用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個工業環境溫度范圍內工作。

 
關于V系列F-RAM
    Ramtron 的V系列F-RAM產品采用由Ramtron 和德州儀器(TI)共同開發的先進130nm CMOS生產工藝制造，所實現的器件性能改進包括：
 
提高存儲器性能：隨著FM28V020的推出，256-Kb 并口F-RAM的存儲周期已從140ns降低到90ns，比Ramtron現有256-Kb并口 F-RAM 器件縮短64%。SPI和 I2C 串口V系列產品的讀寫性能則較Ramtron現有串口F-RAM 產品提高2至3倍。
 
更低的工作電壓，更寬的電壓范圍： V系列F-RAM由于采用德州儀器130nm F-RAM制造工藝，現已具有設置低至2.0V工作電壓的靈活性，讓F-RAM在更多電子系統的固有電壓下工作。
 
FM28V020是不斷增長的V系列產品之最新成員，V系列目前包括以下F-RAM存儲器
· FM28V100 (1Mb并口F-RAM)
· FM28V020 (256Kb 并口F-RAM)
· FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
· FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
· FM24V05 (512Kb串口I2C-RAM)
· FM25V05 (512Kb串口PI F-RAM)
· FM24V02 (256Kb串口I2C F-RAM)
· FM25V02 (256Kb串口SPI F-RAM)
 
價格和供貨
    Ramtron現提供采用符合“綠色” RoHS標準的28腳SOIC封裝的FM28V020樣品，訂購1萬片，起價為每片3.49美元。
 
關于Ramtron International
    Ramtron International 總部設在美國科羅拉多州Colorado Springs市，是專門設計、開發和銷售專用半導體存儲器和集成半導體解決方案的無晶圓廠半導體公司，產品廣泛用于各種應用和全球市場。要了解更多信息，請訪問公司網站www.ramtron.com 。要獲取300-dpi精度產品照片，請訪問網頁 (參見串口產品)。www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx。■