世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫(xiě)速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝,具有快速訪問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™)寫(xiě)入、無(wú)乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車電子、軍事、游戲和計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域中,作為需電池供電的SRAM的兼容替代產(chǎn)品。
Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理Mike Peters稱:“FM28V020相比現(xiàn)有256Kb并口存儲(chǔ)器有多項(xiàng)性能提升,與目前廣泛使用的FM18L08比較之下,F(xiàn)M28V020具有更快的訪問(wèn)速度和更短的讀寫(xiě)周期,低至2V的工作電壓則容許在更低的工作電流下工作,而且頁(yè)面模式工作頻率高達(dá)40MHz,是需電池供電的SRAM或NVSRAM的簡(jiǎn)便升級(jí)產(chǎn)品。”
關(guān)于FM28V020
FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM),讀寫(xiě)操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù),提供超過(guò)10年的數(shù)據(jù)保存能力,可消除需電池供電的SRAM(BBSRAM)帶來(lái)的諸如可靠性、功能缺陷和系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問(wèn)題。去除了系統(tǒng)中的電池可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程,減少系統(tǒng)維護(hù),并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫(xiě)入速度快,幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)等特點(diǎn)(寫(xiě)入次數(shù)大約為1014次),使其優(yōu)于其它類型的存儲(chǔ)器。
FM28V020在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它RAM器件類似,可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開(kāi)啟芯片的使能引腳或改變地址,就可觸發(fā)讀寫(xiě)操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝,具有非易失性的特點(diǎn),所以極度適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。
Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理Mike Peters稱:“FM28V020相比現(xiàn)有256Kb并口存儲(chǔ)器有多項(xiàng)性能提升,與目前廣泛使用的FM18L08比較之下,F(xiàn)M28V020具有更快的訪問(wèn)速度和更短的讀寫(xiě)周期,低至2V的工作電壓則容許在更低的工作電流下工作,而且頁(yè)面模式工作頻率高達(dá)40MHz,是需電池供電的SRAM或NVSRAM的簡(jiǎn)便升級(jí)產(chǎn)品。”
關(guān)于FM28V020
FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM),讀寫(xiě)操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù),提供超過(guò)10年的數(shù)據(jù)保存能力,可消除需電池供電的SRAM(BBSRAM)帶來(lái)的諸如可靠性、功能缺陷和系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問(wèn)題。去除了系統(tǒng)中的電池可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程,減少系統(tǒng)維護(hù),并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫(xiě)入速度快,幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)等特點(diǎn)(寫(xiě)入次數(shù)大約為1014次),使其優(yōu)于其它類型的存儲(chǔ)器。
FM28V020在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它RAM器件類似,可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開(kāi)啟芯片的使能引腳或改變地址,就可觸發(fā)讀寫(xiě)操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝,具有非易失性的特點(diǎn),所以極度適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。
- 1
- 2
- 總2頁(yè)
免責(zé)聲明:本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),與電源在線網(wǎng)無(wú)關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí),對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾,請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
來(lái)源:世紀(jì)電源網(wǎng)
來(lái)源:世紀(jì)電源網(wǎng)
本文鏈接:Ramtron推出第二款并口256Kb
http:www.mangadaku.com/news/2009-8/2009819155454.html
http:www.mangadaku.com/news/2009-8/2009819155454.html
文章標(biāo)簽: 電源在線/Ramtron/并口器件

