Vishay推出突破性P溝道功率MOSFET-SiB457EDK

將業(yè)界最低導(dǎo)通電阻減少近50%

該器件在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個(gè)晶體管單元

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的新型20V P溝道功率MOSFET --- SiB457EDK，這是以往1.6mm×1.6mm占位面積的P溝道器件所不曾實(shí)現(xiàn)的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)，該技術(shù)利用自對(duì)準(zhǔn)工藝制程，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個(gè)晶體管單元。該項(xiàng)前沿技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極其精細(xì)、亞微米線寬工藝，將目前業(yè)界P溝道MOSFET的最低導(dǎo)通電阻減小了將近一半。
 
    隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積中實(shí)現(xiàn)低至1.9mΩ的業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。SiB457EDK采用PowerPAK ®SC-75封裝，是該系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面積中實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。其RDS(on)值從4.5V的35mΩ到1.5V的130mΩ。與具有相同額定電壓的最接近的P溝道器件相比，這些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%。
 
    TrenchFET Gen III P溝道MOSFET有助于在各種應(yīng)用中節(jié)約能源，如筆記本電腦和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器和負(fù)載開關(guān)，以及手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備的充電電路中的負(fù)載開關(guān)。每平方英寸裝入十億個(gè)單元的工藝實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，這項(xiàng)重大技術(shù)突破意味著更低的傳導(dǎo)損耗、節(jié)省功耗和延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命。下表總結(jié)了目前發(fā)布的TrenchFET Gen III P溝道器件的主要規(guī)格。   

    SiB457EDK規(guī)定了四個(gè)柵極至源極電壓條件下的導(dǎo)通電阻額定值，包括使設(shè)計(jì)以較小的輸入電壓實(shí)現(xiàn)較高的安全裕量的1.5V額定值。同時(shí)，其緊湊的PowerPAK SC-75封裝可減少電源電路所需的空間，為其他產(chǎn)品功能或?qū)崿F(xiàn)更小的最終產(chǎn)品開辟了空間。SiB457EDK還采用了2500V典型ESD保護(hù)，可減少現(xiàn)場(chǎng)故障，同時(shí)具有在VGS = 8V條件下僅為5μA的低漏電流。
 
    P溝道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列為無鹵素產(chǎn)品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg測(cè)試要求。關(guān)于該系列的進(jìn)一步資料可瀏覽http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
 
    新型SiB457EDK TrenchFET功率MOSFET已提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的交貨時(shí)間為10至12周。
 
VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介
    Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
    創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。
    Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡(jiǎn)介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。■