安森美半導(dǎo)體推出用于便攜電子應(yīng)用的IPD2工藝技術(shù)

    應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設(shè)計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級封裝應(yīng)用。

    HighQ™ IPD2工藝是安森美半導(dǎo)體定制代工部眾多創(chuàng)新制造服務(wù)之一，采用先進的8英寸晶圓技術(shù)，典型設(shè)計包括平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無線應(yīng)用。基于IPD2的設(shè)計為電路設(shè)計人員提供重要優(yōu)勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長電池使用時間)。

    安森美半導(dǎo)體為其IPD2工藝技術(shù)提供全功能設(shè)計工具和設(shè)計支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們復(fù)雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉(zhuǎn)換至IPD2工藝。

    安森美半導(dǎo)體定制代工部高級總監(jiān)Rick Whitcomb說：“在高性價比、小尺寸和低插入損耗的平臺上集成無源器件，能為電池供電便攜電子產(chǎn)品設(shè)計人員提供極有用的方案。我們以全套設(shè)計工具和技術(shù)配合這新工藝，能夠幫助客戶以最短的時間和最大的信心，從效用相對較低的技術(shù)轉(zhuǎn)換至我們的IPD2工藝。”

    關(guān)于安森美半導(dǎo)體

    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、LED照明、醫(yī)療、工業(yè)、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。■