IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組

    日前，全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率MOSFET芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的 DC-DC 應(yīng)用。

    新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7732S2 MOSFET 和 AUIRL7736M2 MOSFET ，有助于最大限度減少 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應(yīng)用，如泵和風(fēng)扇的變頻驅(qū)動(dòng)器，以及替代接線盒應(yīng)用中的繼電器。

    IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于 D2Pak 10 倍的寄生電感，從而保證優(yōu)良的高頻開(kāi)關(guān)性能，減少波形振鈴，而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外，新型車用 DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，為 DC-DC 轉(zhuǎn)換提供了理想的解決方案。” 

    AUIRL7732S2 邏輯電平 MOSFET 具備低柵極電荷 (Qg) 的特點(diǎn)，PCB 占用空間比采用 SO-8 封裝小 38%，使其非常適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制 MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開(kāi)關(guān)位置，具有低導(dǎo)通電阻，PCB 大小與 5x6 PQFN 或 SO-8 封裝一致。 AUIRL7732S2 和 AUIRL7736M2 的低電感可以在更高頻率條件下實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng) MOSFET 更好的開(kāi)關(guān)性能。

    車用 DirectFET2 產(chǎn)品線基于多年的研究與開(kāi)發(fā)，旨在開(kāi)發(fā)出一個(gè)專為汽車應(yīng)用，且立足于高度可靠、成熟的消費(fèi)級(jí)DirectFET 產(chǎn)品的產(chǎn)品平臺(tái)。

    新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，是在 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

    產(chǎn)品規(guī)格