隨著技術不斷進步，市場對設備秏電量的要求也越來越嚴格。小至移動裝置、大到資料中心，低秏電的要求已經對半導體生態系統產生龐大壓力。不僅既有的設計及架構需重新考量，應用的技術及驗證方法需改變，甚至對結果的預期也需重新調整。即使如此，電力的問題還是如影隨形，無法輕易解決。
據媒體報導，在過去，常面對的電源問題不外乎漏電流(current leakage)、電遷移(electromigration)、靜電放電(electrostatic discharge)、電阻電容延遲(RC delay)或設計不良而縮短電池壽命等。而這些問題均由大型且復雜的工程團隊負責處理。即使問題無法緩解，最后仍可要求制造廠調整制程解決。
不過在55納米制程躍升為物聯網(IoT)設備主流后，及芯片設計要求運用多核心的趨勢下，待解決的電力范疇常高達數百項，設計工程師不得不提升電源技術復雜度因應。
同時，制造端也不似過往可輕易調整制程解決電源問題。為此，晶圓廠已嘗試運用包括減少導線間閘極氧化層(Gate Oxide)，或在16及14納米制程增加動態電力密度，甚至采用更大型、更昂貴的次世代制程因應越趨復雜的設計，以解決秏電問題。
據國際半導體技術發展藍圖(ITRS Roadmap)估測，當制程從45納米降至10納米，芯片效能將提升1.3倍，而耗電將減少4.5倍，電晶體的數量也能增加1倍。不過，這樣的推估顯然過于樂觀。欲解決電力與效能問題，各個方面均需做出調整。
電力與效能是一體二面。在過去，效能達標后電力設計即使不符要求，最后問題總能解決。但自從智能型手機出現，情況開始改觀。一般來說，電力設計需考量四項重點，包括密度(熱平衡)、輸送(尖峰管理)、漏電(閑置耗電)及壽命(可靠性)等，而調整設計架構(Architecture)效果較為顯著。
舉例來說，在思考架構時就需將電源納入考量，并與后續設計做整合。同時，設計端也需對應架構的變化據以調整并降低秏電。 此外，設計上也可采用近臨界(Near-Threshold)或次臨界(Sub-Threshold)技術協助。近臨界或次臨界技術是除了考量新封裝方式、采用新型態存儲器或客制芯片外，業界尋求解決秏電問題的方法之一。不過，這些方法大多仍在研發階段，實際幫助有限。 安謀(ARM)指出，在65~130納米制程中，僅需考慮大約10項關于制程、電壓和溫度(Process, Voltage and Temperature；PVT)的制程臨界參數(Corner)。但到了16或14納米，PVT參數增至50項以上，大幅提升設計難度。再加上高達上百項的電源管控項目，傳統驗證工具及方法均不足以因應。
明導國際(Mentor Graphics)高層指出，面對復雜的電源問題，需要新的工具協助工程師在設計系統單芯片(SoC)時即將電源納入考量。好消息是，這些工具正在逐步改進，變得更有彈性。
電源問題已經快速成為芯片設計時最棘手的問題之一。隨著制程不斷精進及更多元件的采用，電源問題只會變得更多、更繁雜且更需秏時解決。若無法適當因應，不僅開發時程將拉長，驗證無法落實，甚至產品可靠性都將受質疑，影響巨大。<
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