研發(fā)滯后導(dǎo)致國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于發(fā)展劣勢(shì)

    電子產(chǎn)品離不開電能，而其電能使用更離不開功率半導(dǎo)體技術(shù)。功率半導(dǎo)體的目的是使電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保、更便捷。

    但長(zhǎng)期以來，功率半導(dǎo)體器件的作用在國(guó)內(nèi)沒有引起人們足夠的重視，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)一直處于小、散狀態(tài)。相較于TI、Infineon已開始在12英寸晶園上生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)目前還沒有一家功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)擁有8英寸生產(chǎn)線。大部分IDM企業(yè)仍以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，像MOS器件、IGBT等這些國(guó)際主流產(chǎn)品，在近年才有所涉及。因此，順應(yīng)市場(chǎng)需求開發(fā)前端性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品將是國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)努力的主要方向。

    然而，當(dāng)前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比，還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。以IGBT為例，核心技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)和日立等國(guó)際廠商占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

    形成這種局面的原因，一是國(guó)際廠商起步早，研發(fā)投入大，尤其是在傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了專利壁壘；二是國(guó)外高端制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國(guó)際廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

    中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀。總體來看，當(dāng)前功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展方向是：（1）碳化硅芯片的采用；（2）功率半導(dǎo)體里面搭載的各種功能；（3）在封裝技術(shù)上，通過摒棄了綁定線，使功率半導(dǎo)體的壽命更長(zhǎng)、穩(wěn)定性更好、功率密度更大。

    功率半導(dǎo)體是最適合中國(guó)發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，相對(duì)于超大規(guī)模集成電路而言，其資金投入較低、產(chǎn)品周期較長(zhǎng)、市場(chǎng)關(guān)聯(lián)度更高，且還沒有形成如英特爾和三星那樣的壟斷企業(yè)（全球規(guī)�；�功率半導(dǎo)體企業(yè)超過100家，前10大功率半導(dǎo)體企業(yè)銷售額只占全球份額的50%）。但中國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面，應(yīng)加強(qiáng)與整機(jī)企業(yè)的聯(lián)動(dòng)，大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù)，以市場(chǎng)帶動(dòng)設(shè)計(jì)、以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯片、以芯片壯大產(chǎn)業(yè)。

    功率半導(dǎo)體芯片不同于以數(shù)字集成電路為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路，功率半導(dǎo)體芯片屬于模擬器件的范疇。功率器件和功率集成電路的設(shè)計(jì)與工藝制造密切相關(guān)，因此國(guó)際上著名的功率器件和功率集成電路提供商均屬于IDM企業(yè)。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)（包括代工企業(yè)）在提升工藝水平的同時(shí)，應(yīng)加強(qiáng)與系統(tǒng)廠商的合作，不斷提高國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新力度和產(chǎn)品性能，以滿足高端市場(chǎng)的需求，促進(jìn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的健康發(fā)展。<