氮化鎵是一種極具應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體，是改善晶體管的優(yōu)良材料。目前氮化鎵（GaN）已展現(xiàn)出顯著的成果，且它還有以比硅成本更低來(lái)生產(chǎn)的能力。由于氮化鎵晶體管可以比之前任何晶體管都來(lái)得快的能力來(lái)切換更高的電壓和更大的電流，因此帶動(dòng)了一些新的應(yīng)用。
據(jù)報(bào)道，日本共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。
據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎(jiǎng)的藍(lán)色發(fā)光二級(jí)管(LED)的材料。該研究室力爭(zhēng)把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。
天野是小出在名古屋大學(xué)念書(shū)時(shí)低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))門(mén)下一同進(jìn)行過(guò)研究。<
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http:www.mangadaku.com/news/2016-11/2016112513310.html
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文章標(biāo)簽： 氮化鎵/控制電流/半導(dǎo)體功率器件
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