日本加速研發進程 將“氮化鎵”運用在控制電流的新一代半導體功率器件中

    氮化鎵是一種極具應用價值的半導體，是改善晶體管的優良材料。目前氮化鎵（GaN）已展現出顯著的成果，且它還有以比硅成本更低來生產的能力。由于氮化鎵晶體管可以比之前任何晶體管都來得快的能力來切換更高的電壓和更大的電流，因此帶動了一些新的應用。

    據報道，日本共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。

    據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。

    天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行過研究。<