NEC電子投產(chǎn)了流經(jīng)電流達(dá)業(yè)內(nèi)最高水平的功率MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管),并已從2007年4月10日開始以NP180N04為商品名供應(yīng)樣品。憑借該MOSFET,可將電動(dòng)助力方向盤的100A馬達(dá)中使用的MOSFET元件由原來的多個(gè)減為1個(gè)。
將封裝的源極端子增加到了5個(gè),連接芯片和外殼的鋁線由400μm加粗到了500μm。這樣,與該原來的產(chǎn)品相比,導(dǎo)通電阻降低了約15%,最大允許電流也增加了約60%、達(dá)到180A。
以流經(jīng)100A電流的電動(dòng)助力方向盤使用的3相無刷馬達(dá)為例,如果使用原產(chǎn)品——支持110A的MOSFET,就無法確保高溫條件下的設(shè)計(jì)余量,因此需要并聯(lián)使用多個(gè)MOSFET。而支持180A的產(chǎn)品則可確保設(shè)計(jì)余量,從而能夠減少M(fèi)OSFET的個(gè)數(shù),使轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的小型化及低成本化成為可能
將封裝的源極端子增加到了5個(gè),連接芯片和外殼的鋁線由400μm加粗到了500μm。這樣,與該原來的產(chǎn)品相比,導(dǎo)通電阻降低了約15%,最大允許電流也增加了約60%、達(dá)到180A。
以流經(jīng)100A電流的電動(dòng)助力方向盤使用的3相無刷馬達(dá)為例,如果使用原產(chǎn)品——支持110A的MOSFET,就無法確保高溫條件下的設(shè)計(jì)余量,因此需要并聯(lián)使用多個(gè)MOSFET。而支持180A的產(chǎn)品則可確保設(shè)計(jì)余量,從而能夠減少M(fèi)OSFET的個(gè)數(shù),使轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的小型化及低成本化成為可能
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編輯:Sep
來源:電子工程專輯
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http:www.mangadaku.com/news/2007-4/2007423154724.html
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文章標(biāo)簽: NEC/MOSFET

