Vishay Siliconix推出的新型TrenchFET® 功率MOSFET實現業內最低導通電阻

新型器件采用SO-8封裝，具有3.3mΩ（在10V時）及5.5mΩ（在4.5V時）的優異性能

    2008年12月23日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代號: VSH）日前宣布推出新型20-V和30-V p-通道 TrenchFET®功率MOSFET——Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。

    現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24mΩ，而Vishay的Si7633DP具有3.3mΩ（在10V時）及5.5mΩ（在4.5V時）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類30-V器件低27%（在10V時）和28%（在4.5V時），比最接近的同類25-V SO-8器件分別低28%和15%。30-V Si7135DP的導通電阻為3.9mΩ（在10V時）和6.2mΩ（在4.5V時），比最接近的同類器件分別低13%（在10V時）和19.5%（在4.5V時）。

    這次推出的兩款MOSFET均采用PowerPAK® SO-8封裝，可容許比其它SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。

    這兩款新型器件可用作適配器切換開關，用于筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器切換開關（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態，消耗電流。Si7633DP和Si7135DP的低導通電阻能耗低，節省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。

    Vishay還推出了采用SO-8封裝的Si4459ADY 30-Vp-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件具有5mΩ（在10V 時）和7.75mΩ（在4.5V 時）的導通電阻。此次推出的所有器件100%通過Rg和UIS認證，且不含鹵素。

    目前，該新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET功率MOSFET可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為10至12周。

    有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。