日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
新款SiB437EDKT可用做智能手機(jī)、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書(shū)和平板電腦等手持設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。器件的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小，超薄的高度只有0.65mm，能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，節(jié)約能源，并在這些設(shè)備中最大化電池的運(yùn)行時(shí)間。
MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通，能夠搭配手持設(shè)備中常見(jiàn)的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓，從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設(shè)備中電池電量較低，并且要求消耗盡可能少的能量時(shí)，這種MOSFET尤其有用。
SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37mΩ、65mΩ和100mΩ，這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。
SiB437EDKT經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)為2000V。<
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