自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨著制造技術(shù)進(jìn)入到深亞微米時(shí)代，以SiC、GaN為代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成電路、BCD工藝在內(nèi)的功率半導(dǎo)體技術(shù)正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量，以及智能化、系統(tǒng)化、高度集成方向發(fā)展。
根據(jù)IC Insights最新的調(diào)查報(bào)告，全球分立式功率晶體管市場(chǎng)在2012年受到整體經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響出現(xiàn)大幅下滑之后，2013年正在此基礎(chǔ)上強(qiáng)勢(shì)反彈，預(yù)計(jì)今年全球功率晶體管市場(chǎng)的銷售額將增加7%，達(dá)到132億美元的規(guī)模，至2017年，全球分立式功率晶體管市場(chǎng)的營(yíng)收將每年以8.5%左右的速度成長(zhǎng)。功率器件市場(chǎng)之所以能夠重新步入高速發(fā)展的軌道，主要是由于在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的新產(chǎn)業(yè)政策下，迫切要求對(duì)能源的利用率實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的提升，功率器件作為提高能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵部件，將在當(dāng)中發(fā)揮重要的作用。
記者從廠商中了解到，2013年大部分功率器件廠商的出貨量均比去年同期出現(xiàn)了大幅的增長(zhǎng)，這一勢(shì)頭有望持續(xù)到今年的第四季度，并且在市場(chǎng)持續(xù)放量以及某些外部因素的影響下，功率器件市場(chǎng)出現(xiàn)了暫時(shí)性供貨緊張的狀況。<
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