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Zetex推出3款N信道強(qiáng)化型MOSFET 可在1.8VGS下提供低損耗開關(guān)功能(圖)

　　Zetex Semiconductors推出3款針對(duì)可用驅(qū)動(dòng)電壓有限應(yīng)用而設(shè)計(jì)的N信道強(qiáng)化型MOSFET。

　　這3款新器件分別為20V的ZXMN2B03E6(SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開關(guān)功能，因此能以兩個(gè)1.2V電池或一個(gè)鋰電池驅(qū)動(dòng)。其閘驅(qū)動(dòng)超低，可直接通過邏輯閘來驅(qū)動(dòng)。

　　Zetex保證3款新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分別低于75m、100m和200m，在4.5VGS下則低于40m、55m和100m，在低電壓應(yīng)用中大派用場(chǎng)，例如高端斷線開關(guān)的電平位移、升壓轉(zhuǎn)換器電路的外部開關(guān)，以至低電壓微控制器和馬達(dá)、螺絲管等負(fù)載的緩沖等。

　　快迅開關(guān)是Zetex專有UMOS技術(shù)另一主要特點(diǎn)。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情況下的上升和下降時(shí)間僅為3.6ns及10.5ns。

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